Infineon HEXFET N-Kanal Dual, THT MOSFET 55 V / 64 A, 3-Pin TO-220 vollständiges Pak

Dieser MOSFET ist für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad geeignet und bietet eine Lösung für verschiedene elektronische und elektrische Systeme. Mit seiner fortschrittlichen Verarbeitung ist er effektiv im Energiemanagement und bei Schaltaufgaben und dient als Schlüsselkomponente in modernen Designs. Seine Enhancement-Mode-Technologie gewährleistet eine gleichbleibende Leistung unter verschiedenen Betriebsbedingungen.

• Kontinuierliche Drainstromfähigkeit von 64 A unterstützt Hochleistungsanwendungen
• 55 V Drain-Source-Spannung verbessert die Zuverlässigkeit der Schaltung
• Niedriger Einschaltwiderstand von 8mΩ verringert den Leistungsverlust
• Schnelle Schaltgeschwindigkeiten erhöhen die Effizienz bei Hochfrequenzanwendungen
• Maximale Verlustleistung von 63 W unterstützt effektives Wärmemanagement
• TO-220-Gehäusedesign ermöglicht einfache Installation in verschiedenen Aufbauten

• Einsatz in Stromversorgungen zur effizienten Energieumwandlung
• Geeignet für DC-DC-Wandler mit hohen Strömen
• Ideal für die Motorsteuerung die ein schnelles Umschalten erfordern
• Eingesetzt in Wechselrichterschaltungen in Systemen für erneuerbare Energien
• Einsatz in Energiemanagementsystemen für Elektrofahrzeuge

Der geringe Einschaltwiderstand reduziert den Wärmeverlust, erhöht den Wirkungsgrad und sorgt dafür, dass mehr Energie für die Last zur Verfügung steht, anstatt als Wärme verschwendet zu werden.

Eine optimale Gate-Spannung von 10 V sorgt für maximale Leitfähigkeit und bestätigt den zuverlässigen Betrieb in Hochstromanwendungen.

Ja, er ist für gepulste Ableitströme von bis zu 390 A ausgelegt und eignet sich daher für Anwendungen mit vorübergehendem Bedarf.

Es funktioniert effektiv über einen weiten Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und passt sich damit verschiedenen Umgebungsbedingungen an.

Ja, das TO-220-Gehäuse gewährleistet die Kompatibilität mit der herkömmlichen Leiterplattenmontage durch Bohrungen.