Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin IRLZ34NPBF TO-220

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RS Best.-Nr.:
541-1247
Distrelec-Artikelnummer:
303-41-411
Herst. Teile-Nr.:
IRLZ34NPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

35mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.69 mm

Länge

10.54mm

Höhe

8.77mm

Distrelec Product Id

30341411

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 30A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 68W maximale Verlustleistung - IRLZ34NPBF


Dieser leistungsstarke n-Kanal-MOSFET ist für die Effizienz verschiedener elektronischer Anwendungen ausgelegt. Er hat einen maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 30 A und kann Drain-Source-Spannungen von bis zu 55 V verarbeiten. Die Fähigkeit zum erweiterten Modus gewährleistet den Betrieb unter verschiedenen Bedingungen und macht ihn zu einer wertvollen Komponente für das Energiemanagement in verschiedenen Bereichen.

Eigenschaften und Vorteile


• Niedriger Einschaltwiderstand von 35mΩ reduziert den Leistungsverlust

• Hohe Verlustleistung von 68 W verbessert die Leistung

• Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C gewährleistet Vielseitigkeit

• Typische Gate-Ladung von 25nC bei 5 V ermöglicht schnelleres Schalten

• Kompaktes TO-220AB-Gehäuse ermöglicht effizientes PCB-Layout

Anwendungsbereich


• Einsatz in DC-DC-Wandlern zur effizienten Energieumwandlung

• Geeignet für Motortreiberschaltungen in der industriellen Automatisierung

• Effektiv in Energiemanagementsystemen für erneuerbare Energie

• Einsatz bei Hochgeschwindigkeitsschaltungen für Telekommunikation

Wie hoch ist die maximale Gate-Source-Spannung?


Der Baustein verträgt eine maximale Gate-Source-Spannung von ±16 V und gewährleistet so einen sicheren Betrieb in verschiedenen Schaltungen.

Wie wirkt sich die Temperatur auf seine Leistung aus?


Der MOSFET arbeitet effizient über einen Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und bleibt auch unter extremen Bedingungen stabil.

Kann es in Hochfrequenzanwendungen eingesetzt werden?


Ja, er ist mit einer typischen Gate-Ladung von 25nC bei 5V ausgelegt und eignet sich daher für Hochfrequenzanwendungen wie HF-Verstärker.

Was sind die Auswirkungen eines niedrigen Rds(on)?


Ein niedrigerer Rds(on)-Wert verringert die Wärmeentwicklung und die Leistungsverluste erheblich und verbessert die Gesamteffizienz von Stromversorgungsdesigns.

Ist sie mit verschiedenen elektronischen Schaltungen kompatibel?


Das Gerät ist vielseitig einsetzbar und kann in verschiedene Schaltungskonfigurationen integriert werden, unter anderem in der Automobil- und Industrieelektronik.

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