Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
145-8936
Herst. Teile-Nr.:
IRLZ34NSTRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

11.3 mm

Höhe

4.83mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 30A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 68W maximale Verlustleistung - IRLZ34NSTRLPBF


Dieser leistungsstarke N-Kanal-MOSFET ermöglicht effizientes Schalten und Verstärken in verschiedenen elektrischen Anwendungen. Mit einer kontinuierlichen Drain-Stromkapazität von 30 A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 55 V eignet er sich für Anwendungen in der Automobil-, Industrie- und Unterhaltungselektronik. Sein oberflächenmontierbares Design vereinfacht die Integration in moderne Leiterplatten und macht ihn zu einer Schlüsselkomponente für effektives Power Management.

Eigenschaften und Vorteile


• Niedrige Gate-Schwellenspannung für erhöhte Schaltgeschwindigkeit

• Niedriger RDS(on) für effiziente Verlustleistung

• Hohe thermische Beständigkeit ermöglicht den Betrieb bei hohen Temperaturen

• Maximale Verlustleistung von 68 W trägt zur Langlebigkeit bei

• Oberflächenmontagetechnologie unterstützt kompakte Designs

• Effizienter Antrieb mit hoher Gate-Ladung bei 5 V

Anwendungsbereich


• Stromversorgungsschaltungen für eine effektive Spannungsregelung

• Motorsteuerung die ein schnelles Umschalten erfordern

• DC-DC-Wandler für verbesserte Effizienz

• Präzisionsinstrumente für verlässliche Leistung

• Automobilindustrie mit hohen Anforderungen an die Zuverlässigkeit

Wie hoch ist der maximale Dauerstrom, den dieses Bauteil verarbeiten kann?


Der Baustein kann einen maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 30 A verarbeiten.

Wie wird die thermische Leistung dieses MOSFETs gesteuert?


Er arbeitet bei einer Höchsttemperatur von +175 °C und ist damit auch in Hochtemperaturumgebungen zuverlässig.

Kann es im Automobilbereich eingesetzt werden?


Ja, durch seine robuste Bauweise und hohe Temperaturtoleranz eignet er sich für verschiedene Schaltkreise im Automobilbereich.

Welche Art von Schaltungskonfigurationen kann er unterstützen?


Der MOSFET unterstützt Transistorkonfigurationen im Anreicherungsmodus, die sich ideal für Schaltanwendungen eignen.

Ist sie mit oberflächenmontierten Schaltkreisen kompatibel?


Ja, der Gehäusetyp D2PAK (TO-263) ermöglicht eine einfache Integration in oberflächenmontierte Anwendungen und erleichtert die einfache Platzierung auf Leiterplatten.

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