Infineon HEXFET IRF5305STRLPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 831-2834
Herst. Teile-Nr.:: IRF5305STRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF5305STRLPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

60 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).

Preis pro Stück (In einer VPE à 10)

1,128 €

(ohne MwSt.)

1,342 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 40	1,128 €	11,28 €
50 - 90	0,891 €	8,91 €
100 - 240	0,834 €	8,34 €
250 - 490	0,778 €	7,78 €
500 +	0,722 €	7,22 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 831-2834
Herst. Teile-Nr.:: IRF5305STRLPBF
Marke:: Infineon

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V bis 55 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	31 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	60 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	110 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	9.65mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	63 nC @ 10 V
Länge	10.67mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	4.83mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C