Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin IRF5305STRLPBF TO-263

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RS Best.-Nr.:
831-2834
Herst. Teile-Nr.:
IRF5305STRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

31A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63nC

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.83mm

Länge

10.67mm

Breite

9.65 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 31A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 110W maximale Verlustleistung - IRF5305STRLPBF


Dieser P-Kanal-MOSFET ist auf hocheffiziente Anwendungen zugeschnitten und zeichnet sich durch Zuverlässigkeit und Leistung aus. Er verfügt über eine Enhancement-Mode-Funktionalität, die ihn für verschiedene elektronische Schaltungen vielseitig einsetzbar macht. Mit seinen robusten Spezifikationen ist er eine geeignete Option für die Automatisierung und das Energiemanagement in elektrischen und mechanischen Umgebungen.

Eigenschaften und Vorteile


• Maximaler kontinuierlicher Ableitstrom von 31 A

• Maximale Drain-Source-Spannung von 55 V

• Oberflächenmontierte Konfiguration für nahtlose Integration

• Maximale Verlustleistung von 110 W für effizienten Betrieb

• Verbesserte thermische Leistung mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175°C

• Niedriger Einschaltwiderstand von 60 mΩ für verbesserte Effizienz

Anwendungsbereich


• Zur Verwendung mit Motorsteuerungen

• Geeignet für Stromversorgungskreise

• Elektronisches Schalten

• Lösungen für das Energiemanagement

Was ist die maximale Gate-Schwellenspannung?


Die maximale Gate-Schwellenspannung beträgt 4 V, was eine angemessene Kontrolle beim Schaltungsentwurf ermöglicht.

Wie geht der MOSFET mit Wärme um?


Mit einer maximalen Verlustleistung von 110 W ermöglicht er ein effektives Wärmemanagement in anspruchsvollen Anwendungen.

Ist dieses Produkt mit oberflächenmontierten Designs kompatibel?


Ja, er wird in einem D2PAK-Gehäusetyp geliefert, der speziell für oberflächenmontierte Anwendungen entwickelt wurde.

Wie hoch ist die Mindestbetriebstemperatur für die Funktionalität?


Das Gerät arbeitet effektiv bei einer Mindesttemperatur von -55°C und ist somit für verschiedene Umgebungen geeignet.

Wie wirkt sich der Einschaltwiderstand auf die Leistung aus?


Der niedrige maximale Drain-Source-Widerstand von 60 mΩ trägt zu einer höheren Effizienz und Leistung bei Stromversorgungsanwendungen bei.

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