Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 223-8457
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFR5305TRL
- Marke:
- Infineon
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| 25 - 45 | 2,088 € | 10,44 € |
| 50 - 120 | 1,968 € | 9,84 € |
| 125 - 245 | 1,824 € | 9,12 € |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 223-8457
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFR5305TRL
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der für die Automobilindustrie qualifizierte einkanalige HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon in einem D2-pak-Gehäuse. Das Mobilfunkdesign von Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er wird aufgrund der schnellen Schaltgeschwindigkeit und des robusten Geräts in der Automobilindustrie und in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt.
Advanced Planar Technology
Dynamische dV/dT-Nennleistung
175 °C Betriebstemperatur
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Ohne Leitung
RoHS-konform
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