Infineon HEXFET AUIRFR5305TRL P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 31 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 223-8456
Herst. Teile-Nr.:: AUIRFR5305TRL
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET AUIRFR5305TRL P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 31 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Datasheet - AUIRFR5305TRL

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Produktdetails

Der für die Automobilindustrie qualifizierte einkanalige HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon in einem D2-pak-Gehäuse. Das Mobilfunkdesign von Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er wird aufgrund der schnellen Schaltgeschwindigkeit und des robusten Geräts in der Automobilindustrie und in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt.

Advanced Planar Technology
Dynamische dV/dT-Nennleistung
175 °C Betriebstemperatur
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Ohne Leitung
RoHS-konform

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	31 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,065 Ω
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Infineon HEXFET AUIRFR5305TRL P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 31 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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