Infineon IRFR5305PBF IRFR5305TRLPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 171-1909
Herst. Teile-Nr.:: IRFR5305TRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon IRFR5305PBF IRFR5305TRLPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 20)

0,965 €

(ohne MwSt.)

1,148 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
20 - 80	0,965 €	19,30 €
100 - 180	0,753 €	15,06 €
200 - 480	0,705 €	14,10 €
500 - 980	0,657 €	13,14 €
1000 +	0,608 €	12,16 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 171-1909
Herst. Teile-Nr.:: IRFR5305TRLPBF
Marke:: Infineon

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Produktdetails

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V bis 55 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

Der Infineon IRFR5305 ist der 55-V-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit einem P-Kanal in einem D-Pak-Gehäuse. Das D-Pak wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Schwall-Lötverfahren entwickelt.

Advanced Prozesstechnologie
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Vollständig lawinengeprüft
Ohne Leitung

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	31 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Serie	IRFR5305PBF
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	65 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	110 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	20 V
Länge	6.73mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	63 nC @ 10 V
Breite	7.49mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	2.39mm
Diodendurchschlagsspannung	1.3V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Leistungsverstärkung	0