Infineon HEXFET IRF5305STRLPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 165-5895
Herst. Teile-Nr.:: IRF5305STRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF5305STRLPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
800 - 800	0,63 €	504,00 €
1600 +	0,598 €	478,40 €

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RS Best.-Nr.:: 165-5895
Herst. Teile-Nr.:: IRF5305STRLPBF
Marke:: Infineon

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V bis 55 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	31 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	60 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	110 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	9.65mm
Länge	10.67mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	63 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	4.83mm