Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 110 A 170 W, 3-Pin IRF3205ZSTRLPBF TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

14,21 €

(ohne MwSt.)

16,91 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1.060 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 401,421 €14,21 €
50 - 901,351 €13,51 €
100 - 2401,294 €12,94 €
250 - 4901,237 €12,37 €
500 +1,152 €11,52 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-4735
Herst. Teile-Nr.:
IRF3205ZSTRLPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

170W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

76nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Länge

10.67mm

Breite

9.65 mm

Höhe

4.83mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von HEXFET ® Leistungs-MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Advanced Prozesstechnologie

Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten

Bleifrei, RoHS-konform

Verwandte Links