Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 110 A 170 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 222-4735
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3205ZSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
10,31 €
(ohne MwSt.)
12,27 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 110 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- Zusätzlich 250 Einheit(en) mit Versand ab 19. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,031 € | 10,31 € |
| 50 - 90 | 0,979 € | 9,79 € |
| 100 - 240 | 0,937 € | 9,37 € |
| 250 - 490 | 0,896 € | 8,96 € |
| 500 + | 0,835 € | 8,35 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4735
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3205ZSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 110A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 76nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 9.65 mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 110A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 76nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 9.65 mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon Design von HEXFET ® Leistungs-MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Advanced Prozesstechnologie
Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten
Bleifrei, RoHS-konform
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon AUIRF Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
