Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 110 A 170 W, 3-Pin TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
IRF3205ZSTRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

170W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

76nC

Länge

10.67mm

Höhe

4.83mm

Breite

9.65 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von HEXFET ® Leistungs-MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Advanced Prozesstechnologie

Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten

Bleifrei, RoHS-konform

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