Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 110 A 170 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 222-4734
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3205ZSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 110A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 76nC | |
| Breite | 9.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 110A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 76nC | ||
Breite 9.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon Design von HEXFET ® Leistungs-MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Advanced Prozesstechnologie
Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten
Bleifrei, RoHS-konform
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