Infineon HEXFET IRF3205ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 110 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 222-4734
Herst. Teile-Nr.:: IRF3205ZSTRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF3205ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 110 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Herst. Teile-Nr.:: IRF3205ZSTRLPBF
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Datasheet - IRF3205ZSTRLPBF

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Produktdetails

Das Infineon Design von HEXFET ® Leistungs-MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Advanced Prozesstechnologie
Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten
Bleifrei, RoHS-konform

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	110 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,0065 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Silicon

Infineon HEXFET IRF3205ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 110 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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