Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 110 A 170 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 124-9000
Herst. Teile-Nr.:: IRF3205ZPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 110 A 170 W, 3-Pin TO-220

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100 - 200	0,94 €	47,00 €
250 - 450	0,882 €	44,10 €
500 - 950	0,824 €	41,20 €
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RS Best.-Nr.:: 124-9000
Herst. Teile-Nr.:: IRF3205ZPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	110A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	55V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	7mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	76nC
	Maximale Verlustleistung Pd	170W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	10.54mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	8.77mm
	Breite	4.69 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 110A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 55V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 7mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 76nC
	Maximale Verlustleistung Pd 170W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 10.54mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 8.77mm
	Breite 4.69 mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: MX

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