Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 110 A 170 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 124-9000
Herst. Teile-Nr.:: IRF3205ZPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 110 A 170 W, 3-Pin TO-220

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

41,70 €

(ohne MwSt.)

49,60 €

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Auf Lager

600 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
50 - 50	0,834 €	41,70 €
100 - 200	0,676 €	33,80 €
250 - 450	0,634 €	31,70 €
500 - 950	0,592 €	29,60 €
1000 +	0,551 €	27,55 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 124-9000
Herst. Teile-Nr.:: IRF3205ZPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	110A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	55V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	HEXFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	7mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	76nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	170W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	4.69 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	8.77mm
	Länge	10.54mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 110A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 55V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie HEXFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 7mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 76nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 170W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 4.69 mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 8.77mm
	Länge 10.54mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: MX

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon

Motorsteuerungs-MOSFET

Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung.

Synchrongleichrichter-MOSFET

Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.