Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 47 A 110 W, 3-Pin TO-220AB

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

1,07 €

(ohne MwSt.)

1,27 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 487 Einheit(en) versandfertig
  • Zusätzlich 746 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 91,07 €
10 - 490,99 €
50 - 990,92 €
100 - 2490,87 €
250 +0,80 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
541-0086
Distrelec-Artikelnummer:
303-41-412
Herst. Teile-Nr.:
IRLZ44NPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

47 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

22 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

110 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +16 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.54mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.69mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

48 nC @ 5 V

Höhe

8.77mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 47A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 110W maximale Verlustleistung - IRLZ44NPBF


Dieser leistungsstarke n-Kanal-MOSFET von Infineon ist für effizientes Schalten und eine hohe Leistungsaufnahme in elektronischen Systemen ausgelegt. Dank der fortschrittlichen HEXFET-Technologie eignet er sich für verschiedene Halbleiteranwendungen und damit für Fachleute aus den Bereichen Automatisierung, Elektronik und Elektrotechnik, die eine robuste Leistung für das Power-Management suchen.

Eigenschaften und Vorteile


• Unterstützt einen kontinuierlichen Ableitstrom von bis zu 47 A für eine effektive Leistungsabgabe
• Arbeitet mit einer Drain-Source-Spannung von 55 V, was die Vielseitigkeit der Anwendung erhöht
• Maximale Verlustleistung von 110 W optimiert das Wärmemanagement
• Enhancement-Mode-Design gewährleistet effektives Schalten und Steuern
• Niedriger Gate-Schwellenspannungsbereich von 1V bis 2V erleichtert die Steuerung mit minimaler Ansteuerspannung
• Hohe Strombelastbarkeit mit einem niedrigen Einschaltwiderstand von 22 mΩ verbessert die Effizienz

Anwendungsbereich


• Stromversorgungsschaltungen, die eine effiziente Lastschaltung erfordern
• DC-DC-Wandler in erneuerbaren Energiesystemen
• Automobilindustrie anspruchsvolle Hochleistung
• Motorsteuerungssysteme für mehr Effizienz im Betrieb
• Beleuchtungssysteme, die eine präzise Leistungsregelung erfordern

Wie groß ist der Betriebstemperaturbereich des Geräts?


Das Gerät funktioniert effektiv in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und gewährleistet Zuverlässigkeit unter verschiedenen Umgebungsbedingungen.

Wie sollte diese für eine optimale Leistung montiert werden?


Er ist für die Durchsteckmontage in einem TO-220AB-Gehäuse ausgelegt, was eine effektive Wärmeableitung während des Betriebs ermöglicht.

Kann es mit anderen Stromversorgungskomponenten verwendet werden?


Ja, er ist mit einer Reihe von Power-Management- und Schaltkomponenten kompatibel und fügt sich nahtlos in verschiedene Schaltungsdesigns ein.

Welche Auswirkungen hat der Bereich der Gate-Schwellenspannung?


Eine Gate-Schwellenspannung von 1V bis 2V ermöglicht eine einfache Ansteuerung mit Standardsignalpegeln, was die Schaltungsentwürfe vereinfacht und die Kompatibilität verbessert.

Ist es für Hochfrequenzanwendungen geeignet?


Mit einer niedrigen Gate-Ladung von 48nC bei 5 V unterstützt er Hochfrequenz-Schaltanwendungen und trägt so zur Gesamteffizienz von Stromversorgungssystemen bei.


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links