Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 110 A 200 W, 3-Pin IRF3205PBF TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

1,46 €

(ohne MwSt.)

1,74 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Begrenzter Lagerbestand
  • Noch 34 Einheit(en) verfügbar, versandfertig
  • Zusätzlich 243 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 91,46 €
10 - 491,33 €
50 - 991,24 €
100 - 2491,15 €
250 +1,06 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
540-9783
Distrelec-Artikelnummer:
303-41-274
Herst. Teile-Nr.:
IRF3205PBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

146nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.69 mm

Länge

10.54mm

Höhe

8.77mm

Distrelec Product Id

30341274

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 110A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 55V maximale Drain-Source-Spannung - IRF3205PBF


Dieser HEXFET-MOSFET ist ein Hochleistungsbauteil der Leistungselektronik, das für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde. Er verfügt über eine N-Kanal-Konfiguration mit einem maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 110 A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 55 V. Das TO-220AB-Gehäuse gewährleistet ein effizientes Wärmemanagement und eignet sich für den Einsatz in einer Vielzahl von industriellen Umgebungen.

Eigenschaften und Vorteile


• Geeignet für den Betrieb bei hohen Temperaturen bis zu +175°C

• Bietet schnelle Schalteigenschaften für verbesserte Leistung

• Hervorragende Lawinenklassifizierung für zusätzliche Haltbarkeit

• Das Enhancement-Mode-Design sorgt für einen stabilen Betrieb

• Konzipiert für die einfache Verwendung bei der Durchgangslochmontage

Anwendungen


• Für die Leistungsumwandlung in Stromversorgungen verwendet

• Geeignet für Motorsteuerung

• Verwendet in Batteriemanagementsystemen

• Anwendung in Hochfrequenz-Schaltkreisen

• Integriert in Stromversorgungssysteme der Unterhaltungselektronik

Welche thermischen Eigenschaften sollten bei diesem Bauteil berücksichtigt werden?


Der Wärmewiderstand von der Anschlussstelle zum Gehäuse beträgt 0,75°C/W, und die Verbindung von Gehäuse zu Senke kann bis zu 0,50°C/W betragen, wenn sie auf einer flachen, gefetteten Oberfläche angebracht wird. Dies ist entscheidend für die Aufrechterhaltung einer optimalen Leistung bei hoher Belastung.

Wie können die Spezifikationen die Gesamtleistung beeinflussen?


Der niedrige On-Widerstand und der hohe kontinuierliche Drain-Strom ermöglichen eine reduzierte Verlustleistung und einen verbesserten thermischen Wirkungsgrad, was zu einer erhöhten Zuverlässigkeit in verschiedenen Anwendungen führt.

Welche Methoden können zur effektiven Wärmeabfuhr eingesetzt werden?


Die Verwendung eines Kühlkörpers in Verbindung mit dem TO-220AB-Gehäuse kann die Wärmeableitung während des Betriebs erheblich verbessern und gewährleistet, dass das Gerät innerhalb sicherer thermischer Grenzen bleibt.

Verwandte Links