Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 110 A 200 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
919-4763
Herst. Teile-Nr.:
IRF3205PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

146nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.54mm

Höhe

8.77mm

Breite

4.69 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 110A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 55V maximale Drain-Source-Spannung - IRF3205PBF


Dieser HEXFET-MOSFET ist ein Hochleistungsbauteil der Leistungselektronik, das für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde. Er verfügt über eine N-Kanal-Konfiguration mit einem maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 110 A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 55 V. Das TO-220AB-Gehäuse gewährleistet ein effizientes Wärmemanagement und eignet sich für den Einsatz in einer Vielzahl von industriellen Umgebungen.

Eigenschaften und Vorteile


• Geeignet für den Betrieb bei hohen Temperaturen bis zu +175°C

• Bietet schnelle Schalteigenschaften für verbesserte Leistung

• Hervorragende Lawinenklassifizierung für zusätzliche Haltbarkeit

• Das Enhancement-Mode-Design sorgt für einen stabilen Betrieb

• Konzipiert für die einfache Verwendung bei der Durchgangslochmontage

Anwendungen


• Für die Leistungsumwandlung in Stromversorgungen verwendet

• Geeignet für Motorsteuerung

• Verwendet in Batteriemanagementsystemen

• Anwendung in Hochfrequenz-Schaltkreisen

• Integriert in Stromversorgungssysteme der Unterhaltungselektronik

Welche thermischen Eigenschaften sollten bei diesem Bauteil berücksichtigt werden?


Der Wärmewiderstand von der Anschlussstelle zum Gehäuse beträgt 0,75°C/W, und die Verbindung von Gehäuse zu Senke kann bis zu 0,50°C/W betragen, wenn sie auf einer flachen, gefetteten Oberfläche angebracht wird. Dies ist entscheidend für die Aufrechterhaltung einer optimalen Leistung bei hoher Belastung.

Wie können die Spezifikationen die Gesamtleistung beeinflussen?


Der niedrige On-Widerstand und der hohe kontinuierliche Drain-Strom ermöglichen eine reduzierte Verlustleistung und einen verbesserten thermischen Wirkungsgrad, was zu einer erhöhten Zuverlässigkeit in verschiedenen Anwendungen führt.

Welche Methoden können zur effektiven Wärmeabfuhr eingesetzt werden?


Die Verwendung eines Kühlkörpers in Verbindung mit dem TO-220AB-Gehäuse kann die Wärmeableitung während des Betriebs erheblich verbessern und gewährleistet, dass das Gerät innerhalb sicherer thermischer Grenzen bleibt.

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