Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-252

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RS Stock No.:
827-4060
Distrelec Article No.:
304-44-464
Mfr. Part No.:
IRFR5305TRPBF
Brand:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

31A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

65mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.39mm

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 31A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 110W maximale Verlustleistung - IRFR5305TRPBF


Dieser MOSFET bietet fortschrittliche Leistung für verschiedene elektronische Anwendungen. Sein niedriger Durchlasswiderstand und seine hohe Strombelastbarkeit tragen zu einem effektiven Energiemanagement bei. Mit seinem robusten Design und seinen zuverlässigen elektrischen Eigenschaften eignet sich dieses Bauteil für verschiedene Umgebungen in Automatisierungs- und Elektroniksystemen.

Eigenschaften und Vorteile


• Geringer Einschaltwiderstand für verbesserte Effizienz

• Unterstützt einen maximalen kontinuierlichen Ableitstrom von 31A

• Konzipiert für den einfachen Einsatz bei Oberflächenmontageanwendungen

• Geeignet für den Betrieb in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C

• Ermöglicht schnelle Schaltgeschwindigkeiten für verbesserte Leistung

• Ermöglicht eine maximale Verlustleistung von 110 W für verschiedene Anwendungen

Anwendungsbereich


• Verwendet in Energiemanagementsystemen

• Geeignet für Motorsteuerung

• Eingesetzt in Schaltnetzteilen für elektronische Geräte

• Einsatz in Automobilschaltungen zur Verbesserung der Effizienz

Welches sind die empfohlenen Löttechniken für den Einbau?


Verwenden Sie Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken, um optimale Ergebnisse zu erzielen und eine minimale thermische Belastung des Bauteils zu gewährleisten.

Kann es mit hohen Temperaturen umgehen?


Ja, es arbeitet effektiv in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und ist damit für extreme Bedingungen geeignet.

Welche Bedeutung hat ein niedriger RDS(on)?


Ein niedriger RDS(on) reduziert die Leistungsverluste, erhöht den Gesamtwirkungsgrad und verringert die Wärmeentwicklung während des Betriebs.

Wie kann ich ein korrektes Schaltverhalten sicherstellen?


Implementieren Sie geeignete Gate-Treiberschaltungen, um präzise Ein- und Ausschaltcharakteristiken zu erreichen, und beachten Sie dabei die vorgeschlagenen Triggerspannungen.

Ist dies mit Standard-PCB-Layouts kompatibel?


Ja, er wurde im DPAK-Gehäuse entwickelt, was eine unkomplizierte Integration in typische PCB-Designs ermöglicht, ohne dass spezielle Modifikationen erforderlich sind.

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