Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 31 A 110 W TO-252

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RS Best.-Nr.:
218-3105
Herst. Teile-Nr.:
IRFR3410TRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

31A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

31Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

6.22mm

Breite

2.39 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie mit einem N-Kanal, integriert in das Gehäuse des Typs DPAK (TO-252). Dieser MOSFET wird hauptsächlich in Hochfrequenz-DC/DC-Wandlern verwendet.

RoHS-kompatibel

Betriebstemperatur von 175 °C

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

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