Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 45 A 110 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
262-6767
Herst. Teile-Nr.:
IRFR2607ZTRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieses Design verfügt über zusätzliche Merkmale wie 175 °C-Betriebstemperatur an der Verbindung, schnelle Schaltgeschwindigkeit und verbesserte wiederholte Lawinenbelastbarkeit.

Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Wiederholte Lawinen bis zu Tjmax zulässig

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