Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 47 A 110 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 919-4814
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLZ44NPBF
- Marke:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 919-4814
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- IRLZ44NPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 47A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -16V, +16V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.69mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Länge | 10.54mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 47A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -16V, +16V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.69mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 8.77mm | ||
Länge 10.54mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 47A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 110W maximale Verlustleistung - IRLZ44NPBF
Dieser leistungsstarke n-Kanal-MOSFET von Infineon ist für effizientes Schalten und eine hohe Leistungsaufnahme in elektronischen Systemen ausgelegt. Dank der fortschrittlichen HEXFET-Technologie eignet er sich für verschiedene Halbleiteranwendungen und damit für Fachleute aus den Bereichen Automatisierung, Elektronik und Elektrotechnik, die eine robuste Leistung für das Power-Management suchen.
Eigenschaften und Vorteile
• Unterstützt einen kontinuierlichen Ableitstrom von bis zu 47 A für eine effektive Leistungsabgabe
• Arbeitet mit einer Drain-Source-Spannung von 55 V, was die Vielseitigkeit der Anwendung erhöht
• Maximale Verlustleistung von 110 W optimiert das Wärmemanagement
• Enhancement-Mode-Design gewährleistet effektives Schalten und Steuern
• Niedriger Gate-Schwellenspannungsbereich von 1V bis 2V erleichtert die Steuerung mit minimaler Ansteuerspannung
• Hohe Strombelastbarkeit mit einem niedrigen Einschaltwiderstand von 22 mΩ verbessert die Effizienz
Anwendungsbereich
• Stromversorgungsschaltungen, die eine effiziente Lastschaltung erfordern
• DC-DC-Wandler in erneuerbaren Energiesystemen
• Automobilindustrie anspruchsvolle Hochleistung
• Motorsteuerungssysteme für mehr Effizienz im Betrieb
• Beleuchtungssysteme, die eine präzise Leistungsregelung erfordern
Wie groß ist der Betriebstemperaturbereich des Geräts?
Das Gerät funktioniert effektiv in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und gewährleistet Zuverlässigkeit unter verschiedenen Umgebungsbedingungen.
Wie sollte diese für eine optimale Leistung montiert werden?
Er ist für die Durchsteckmontage in einem TO-220AB-Gehäuse ausgelegt, was eine effektive Wärmeableitung während des Betriebs ermöglicht.
Kann es mit anderen Stromversorgungskomponenten verwendet werden?
Ja, er ist mit einer Reihe von Power-Management- und Schaltkomponenten kompatibel und fügt sich nahtlos in verschiedene Schaltungsdesigns ein.
Welche Auswirkungen hat der Bereich der Gate-Schwellenspannung?
Eine Gate-Schwellenspannung von 1V bis 2V ermöglicht eine einfache Ansteuerung mit Standardsignalpegeln, was die Schaltungsentwürfe vereinfacht und die Kompatibilität verbessert.
Ist es für Hochfrequenzanwendungen geeignet?
Mit einer niedrigen Gate-Ladung von 48nC bei 5 V unterstützt er Hochfrequenz-Schaltanwendungen und trägt so zur Gesamteffizienz von Stromversorgungssystemen bei.