Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 89 A 170 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 919-4804
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL3705NPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 919-4804
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL3705NPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 89A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 98nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.69 mm | |
| Höhe | 9.02mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 89A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 98nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.69 mm | ||
Höhe 9.02mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 89A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 170W maximale Verlustleistung - IRL3705NPBF
Dieser N-Kanal-MOSFET wurde für Hochleistungsanwendungen entwickelt und bietet gleichzeitig eine verbesserte Effizienz und Zuverlässigkeit. Dank der fortschrittlichen HEXFET-Technologie zeichnet er sich durch einen minimalen On-Widerstand aus und eignet sich für verschiedene Automatisierungs-, Elektronik- und Elektroanwendungen. Das Gerät arbeitet in einem weiten Temperaturbereich und gewährleistet eine effektive Leistung in unterschiedlichen Umgebungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Niedriger Rds(on) von 10mΩ für erhöhte Effizienz
• Funktioniert im Erweiterungsmodus für innovative Schaltungsdesigns
• Schnelle Umschaltfunktionen für eine verbesserte Reaktionsfähigkeit des Systems
• Vollständig lawinengeprüft für Langlebigkeit in anspruchsvollen Situationen
Anwendungsbereich
• Geeignet für industrielle Energiemanagementsysteme
• Ideal für Motorantrieb in der Automatisierung
• Kompatibel mit Netzteilen, die einen geringen Wärmewiderstand erfordern
• Einsatz in DC-DC-Wandlern zur Verbesserung der Energieeffizienz
Wie hoch ist die maximale Verlustleistung?
Die maximale Verlustleistung liegt bei 170 W, was ein effektives Wärmemanagement unter hohen Lastbedingungen ermöglicht.
Ist es für hohe Temperaturen geeignet?
Dieses Gerät kann in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C arbeiten und ist damit für eine Vielzahl von Hochtemperaturszenarien geeignet.
Welche Bedeutung hat der Bereich der Gate-Schwellenspannung?
Die Gate-Schwellenspannung reicht von 1V bis 2V, was für die Bestimmung der Ein-/Aus-Zustände bei verschiedenen Gate-Ansteuerspannungen wichtig ist.
Welche Überlegungen gibt es für die Verwendung in einer Schaltung?
Achten Sie darauf, dass die Gate-to-Source-Spannung ±16 V nicht überschreitet, um Schäden zu vermeiden und eine optimale Funktionalität zu gewährleisten.
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