Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 89 A 170 W TO-263

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RS Best.-Nr.:
217-2635
Herst. Teile-Nr.:
IRL3705NSTRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

89A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

98nC

Maximale Verlustleistung Pd

170W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Breite

4.83 mm

Höhe

17.79mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 55-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse.

Planare Zellstruktur für eine breite SOA

Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern

Produktqualifikation nach JEDEC-Standard

Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten

SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

Hochstrombelastbares Gehäuse (bis zu 195 A, abhängig von der Matrizengröße)

Kann wellengelötet werden

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