Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -55 V / -42 A 170 W TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 260-5059
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF4905STRL
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -42A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -55V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 53nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Höhe | 15.88mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -42A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -55V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 53nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 4.83 mm | ||
Höhe 15.88mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon P-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt. Dieser Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen.
Erweiterte Prozesstechnologie
Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelles Schalten
Wiederholte Lawinen bis zu Tjmax zulässig
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