Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -55 V / -42 A 170 W TO-263

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260-5059
Herst. Teile-Nr.:
AUIRF4905STRL
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-42A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-55V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

53nC

Maximale Verlustleistung Pd

170W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

4.83 mm

Höhe

15.88mm

Länge

10.67mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon P-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt. Dieser Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen.

Erweiterte Prozesstechnologie

Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Schnelles Schalten

Wiederholte Lawinen bis zu Tjmax zulässig

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