Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -55 V / -42 A 170 W TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 260-5059
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF4905STRL
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -42A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 53nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 15.88mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -42A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 53nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 4.83 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 15.88mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon P-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt. Dieser Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen.
Erweiterte Prozesstechnologie
Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelles Schalten
Wiederholte Lawinen bis zu Tjmax zulässig
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