Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -55 V / -42 A 170 W TO-263

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RS Best.-Nr.:
260-5058
Herst. Teile-Nr.:
AUIRF4905STRL
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-42A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-55V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

170W

Durchlassspannung Vf

-1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

53nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4.83 mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

15.88mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon P-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt. Dieser Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen.

Erweiterte Prozesstechnologie

Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Schnelles Schalten

Wiederholte Lawinen bis zu Tjmax zulässig

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