Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 89 A 170 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
748-1894
Herst. Teile-Nr.:
AUIRL3705N
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

89 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Serie

HEXFET

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

18 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

170 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +16 V

Breite

4.82mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

98 nC @ 5 V

Länge

10.66mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

16.51mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

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