Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 94 A 140 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
650-3690
Herst. Teile-Nr.:
IRF1010ZPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

94 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Serie

HEXFET

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

7,5 mO

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

140 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

63 nC @ 10 V

Breite

4.69mm

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.54mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

8.77mm

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 94A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 140W maximale Verlustleistung - IRF1010ZPBF


Dieser MOSFET wurde entwickelt, um hohe Leistung für eine Vielzahl von elektronischen Anwendungen zu liefern. Mit seiner hohen Strom- und Spannungskapazität ist es eine bevorzugte Wahl für Fachleute in der Automatisierung und Elektronik. Fortschrittliche Verarbeitungsmethoden gewährleisten eine effiziente und zuverlässige Lösung für moderne elektrische Systeme.

Eigenschaften und Vorteile


• Niedriger Einschaltwiderstand von 7,5mΩ für verbesserte Leistung
• Sperrschichttemperaturtoleranz bis zu 175°C
• Schnelle Schaltgeschwindigkeiten minimieren den Energieverlust in Schaltkreisen
• Enhancement Mode Design für verbesserte Kontrolle

Anwendungsbereich


• Energiemanagement in Kfz-Systemen
• Stromversorgungsschaltungen für Industriemaschinen
• Hocheffiziente Wandler und Wechselrichter
• Motorsteuerungssysteme für mehr Effizienz
• Erneuerbare Energie für optimierte Leistung

Was sind die maximalen Gate-Source-Spannungspegel?


Er kann Gate-Source-Spannungen im Bereich von -20V bis +20V verarbeiten, was Flexibilität bei verschiedenen Schaltungsdesigns ermöglicht.

Wie wirkt sich die Temperatur auf die Leistung aus?


Die Leistung bleibt über einen weiten Temperaturbereich hinweg stabil und funktioniert effizient bei Temperaturen von -55°C bis +175°C, was sie für extreme Bedingungen geeignet macht.

Welche Art von Anwendungen kann von den schnellen Schalteigenschaften dieses Bauteils profitieren?


Schnelle Schaltfunktionen sind bei Hochfrequenzanwendungen wie DC-DC-Wandlern, die eine schnelle Ein-Aus-Steuerung erfordern, von Vorteil.

Ist dieses Bauteil für den Einsatz in kompakten Konstruktionen geeignet?


Ja, sein TO-220AB-Gehäusetyp ermöglicht eine einfache Integration in kompakte PCB-Layouts ohne Leistungseinbußen.

Wie verbessert der niedrige RDS(on) die Energieeffizienz?


Ein niedrigerer RDS(on) führt zu einer geringeren Verlustleistung während des Betriebs, was die Gesamtenergieeffizienz verbessert und die Lebensdauer des Systems verlängert.


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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