Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 61 A 91 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
165-6749
Herst. Teile-Nr.:
AUIRFZ48Z
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

61 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Serie

HEXFET

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

11 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

91 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

4.83mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

43 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.67mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

16.51mm

Ursprungsland:
MX

Kfz-N-Kanal-MOSFET, Infineon


Das umfassende Portfolio an AECQ-101-zugelassenen Einfach-Matrizen-N-Kanal-Geräten für die Automobilindustrie von Infineon entspricht einer Vielzahl von Anforderungen an die Stromversorgung in vielen Anwendungen. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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