Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 33 A 130 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
919-4794
Herst. Teile-Nr.:
IRF540NPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

33 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Serie

HEXFET

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

44 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

130 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

71 nC @ 10 V

Länge

10.54mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.69mm

Höhe

8.77mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
MX

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 33A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 100V maximale Drain-Source-Spannung - IRF540NPBF


Dieser MOSFET wurde entwickelt, um effiziente Schaltfunktionen und Leistungsmanagement in verschiedenen elektronischen Anwendungen zu ermöglichen. Der Baustein arbeitet mit einem maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 33A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 100V. In einem TO-220AB-Gehäuse untergebracht, eignet sich diese Komponente sowohl für industrielle als auch für kommerzielle Anwendungen und gewährleistet Langlebigkeit und Zuverlässigkeit unter einer Reihe von Umgebungsbedingungen.

Eigenschaften und Vorteile


• Nutzt fortschrittliche Verarbeitung für geringen On-Widerstand

• Unterstützt schnelle Schaltgeschwindigkeiten für effizienten Betrieb

• Voller Lawinenschutz für erhöhte Zuverlässigkeit unter schwierigen Bedingungen

• Bietet einen breiten Schwellenspannungsbereich für Flexibilität

• Entwickelt für die Durchgangslochmontage zur einfachen Installation

Anwendungen


• Ideal für Hochstromschaltungen in Stromversorgungen

• Einsatz in Automatisierungs- und Kontrollsystemen

• Geeignet für Motorsteuerungs- und Antriebsschaltungen

• Effektiv bei Wechselrichtern und Umrichtern für erneuerbare Energiesysteme

Welche Bedeutung hat der niedrige RDS(on) bei diesem Gerät?


Ein niedriger RDS(on) verbessert die Effizienz, indem er die Verlustleistung während des Betriebs reduziert, ein besseres Wärmemanagement ermöglicht und die Gesamtleistung bei Hochstromanwendungen verbessert.

Welchen Einfluss hat die Funktionalität des Erweiterungsmodus auf seine Verwendung?


Der Anreicherungsmodus ermöglicht einen stromarmen Betrieb bis zum Anlegen einer bestimmten Gate-Spannung, was ihn für Schaltanwendungen, bei denen eine präzise Steuerung erforderlich ist, zuverlässig macht.

Welche Bedeutung hat das TO-220AB-Gehäusedesign?


Das TO-220AB-Gehäuse gewährleistet eine effektive Wärmeableitung und unterstützt hohe Verlustleistungen, während es gleichzeitig eine einfache Montage in verschiedenen Schaltungskonfigurationen ermöglicht.

Wie verhält sich dieser MOSFET bei extremen Temperaturen?


Er arbeitet bei Temperaturen von -55°C bis +175°C und ist so konzipiert, dass er auch in anspruchsvollen Umgebungen seine Leistung beibehält und auch unter schwierigen Bedingungen zuverlässig arbeitet.

Für welche Art von Schaltanwendungen ist dies geeignet?


Er eignet sich gut für die Versorgung von Lasten in Anwendungen, die ein schnelles Schalten erfordern, wie z. B. Motorantriebssysteme, Leistungswandler und verschiedene elektronische Steuerschaltungen.

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