Infineon HEXFET IRF540NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 33 A 130 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 919-4794
Herst. Teile-Nr.:: IRF540NPBF
Marke:: Infineon

Mehr Infos und technische Dokumente (1)

Infineon HEXFET IRF540NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 33 A 130 W, 3-Pin TO-220AB

Alle MOSFET anzeigen

Preis pro Stück (In einer Stange von 50)

0,858 €

(ohne MwSt.)

1,021 €

(inkl. MwSt.)

Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
50 - 50	0,858 €	42,90 €
100 - 200	0,67 €	33,50 €
250 - 450	0,627 €	31,35 €
500 - 1200	0,584 €	29,20 €
1250 +	0,541 €	27,05 €

*Bitte VPE beachten

Alternative

Dieses Produkt ist derzeit nicht verfügbar. Folgende mögliche Alternative können wir anbieten:

Infineon HEXFET IRF540NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 33 A 130 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.: 914-8154

Preis pro Stück (In einer VPE à 20)

0,842 €

(ohne MwSt.)

1,002 €

(inkl. MwSt.)

RS Best.-Nr.:: 919-4794
Herst. Teile-Nr.:: IRF540NPBF
Marke:: Infineon

Ursprungsland:: MX

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	33 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Serie	HEXFET
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	44 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	130 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	10.54mm
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	71 nC @ 10 V
Breite	4.69mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	8.77mm

Infineon HEXFET IRF540NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 33 A 130 W, 3-Pin TO-220AB

Mehr Infos und technische Dokumente (1)

Alternative

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon

Verwandte Produkte