Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 33 A 130 W, 3-Pin IRF540NPBF TO-220

Dieser MOSFET wurde entwickelt, um effiziente Schaltfunktionen und Leistungsmanagement in verschiedenen elektronischen Anwendungen zu ermöglichen. Der Baustein arbeitet mit einem maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 33A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 100V. In einem TO-220AB-Gehäuse untergebracht, eignet sich diese Komponente sowohl für industrielle als auch für kommerzielle Anwendungen und gewährleistet Langlebigkeit und Zuverlässigkeit unter einer Reihe von Umgebungsbedingungen.

• Nutzt fortschrittliche Verarbeitung für geringen On-Widerstand

• Ideal für Hochstromschaltungen in Stromversorgungen

Ein niedriger RDS(on) verbessert die Effizienz, indem er die Verlustleistung während des Betriebs reduziert, ein besseres Wärmemanagement ermöglicht und die Gesamtleistung bei Hochstromanwendungen verbessert.

Der Anreicherungsmodus ermöglicht einen stromarmen Betrieb bis zum Anlegen einer bestimmten Gate-Spannung, was ihn für Schaltanwendungen, bei denen eine präzise Steuerung erforderlich ist, zuverlässig macht.

Das TO-220AB-Gehäuse gewährleistet eine effektive Wärmeableitung und unterstützt hohe Verlustleistungen, während es gleichzeitig eine einfache Montage in verschiedenen Schaltungskonfigurationen ermöglicht.

Er arbeitet bei Temperaturen von -55°C bis +175°C und ist so konzipiert, dass er auch in anspruchsvollen Umgebungen seine Leistung beibehält und auch unter schwierigen Bedingungen zuverlässig arbeitet.

Er eignet sich gut für die Versorgung von Lasten in Anwendungen, die ein schnelles Schalten erfordern, wie z. B. Motorantriebssysteme, Leistungswandler und verschiedene elektronische Steuerschaltungen.