Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 130 A 330 W TO-220

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*

1.335,20 €

(ohne MwSt.)

1.588,80 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 31. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
800 +1,669 €1.335,20 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
257-5556
Herst. Teile-Nr.:
IRFS4310TRLPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

130A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

330W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

170nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Infineons MOSFET verfügt über eine verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit sowie eine vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA.

Hocheffiziente Synchrongleichrichtung

Bleifrei

Verwandte Links