Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 280 A 330 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 716-5558
Herst. Teile-Nr.:: IRF2804PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 280 A 330 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 716-5558
Herst. Teile-Nr.:: IRF2804PBF
Marke:: Infineon

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	280A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	-20V, +20V
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	160nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	330W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	9.02mm
	Breite	4.83mm
	Länge	10.67mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 280A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 160nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 330W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 9.02mm
	Breite 4.83mm
	Länge 10.67mm
	Automobilstandard Nein

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