Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 65 A 330 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 650-4277
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4227PBF
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 65A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 24mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 70nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 330W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.82mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.66mm | |
| Höhe | 9.02mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 65A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 24mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 70nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 330W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.82mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.66mm | ||
Höhe 9.02mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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