Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 65 A 330 W, 3-Pin IRFB4227PBF TO-220

RS Best.-Nr.:: 650-4277
Herst. Teile-Nr.:: IRFB4227PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 65 A 330 W, 3-Pin IRFB4227PBF TO-220

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Herst. Teile-Nr.:: IRFB4227PBF
Marke:: Infineon

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	65A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	200V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	24mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Maximale Verlustleistung Pd	330W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	70nC
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	9.02mm
	Breite	4.82 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	10.66mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 65A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 200V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 24mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Maximale Verlustleistung Pd 330W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 70nC
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 9.02mm
	Breite 4.82 mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 10.66mm
	Automobilstandard Nein

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