Wartung der Website - 21. - 23. Juni 2024

Aufgrund geplanter Wartungsarbeiten wird unsere Website von Freitag 21. Juni, 21:00 Uhr, bis Sonntag 23. Juni, 23:00 Uhr, nicht verfügbar sein. Bitte entschuldigen Sie etwaige Unannehmlichkeiten.

Infineon HEXFET IRFP4227PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 65 A 330 W, 3-Pin TO-247AC

RS Best.-Nr.:: 650-4772
Herst. Teile-Nr.:: IRFP4227PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFP4227PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 65 A 330 W, 3-Pin TO-247AC

6 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.

24 weitere lieferbar innerhalb 1 Werktag(e) (Mo-Fr).

Preis pro Stück

3,89 €

(ohne MwSt.)

4,63 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück
1 - 9	3,89 €
10 - 24	3,69 €
25 - 49	3,54 €
50 - 99	3,38 €
100 +	3,14 €

RS Best.-Nr.:: 650-4772
Herst. Teile-Nr.:: IRFP4227PBF
Marke:: Infineon

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon

Motorsteuerungs-MOSFET

Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung.

Synchrongleichrichter-MOSFET

Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	65 A
Drain-Source-Spannung max.	200 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	TO-247AC
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	25 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	330 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	5.3mm
Länge	15.9mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	70 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	-40 °C
Höhe	20.3mm