Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 43 V / 43 A, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 262-5480
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP3415PBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 262-5480
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP3415PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 43A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 43V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 43A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 43V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Leistungs-MOSFETs aus Infineons IR MOSFET-Familie basieren auf bewährten Siliziumprozessen und bieten Entwicklern ein breites Portfolio an Bauelementen für verschiedene Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, Schaltnetzteile, Beleuchtungen, Lastschalter und batteriebetriebene Anwendungen. Die Teile sind in einer Vielzahl von oberflächenmontierten und durchkontaktierten Gehäusen mit Standard-Footprints erhältlich, die das Design erleichtern.
Planare Zellstruktur für breite SOA
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Hohe Strombelastbarkeit
Erhöhte Robustheit
Hohe Leistung in Niederfrequenzanwendungen
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