Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 30 A 214 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
827-4004
Distrelec-Artikelnummer:
304-36-390
Herst. Teile-Nr.:
IRFP250MPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

75mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

123nC

Maximale Verlustleistung Pd

214W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

21.1mm

Breite

5.2 mm

Länge

16.13mm

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 30A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 214W maximale Verlustleistung - IRFP250MPBF


Dieser N-Kanal-MOSFET ist für hohe Leistung und Effizienz in einer Vielzahl von Anwendungen ausgelegt. Mit einem maximalen Drain-Dauerstrom von 30 A und einer Drain-Source-Spannung von 200 V eignet er sich für Aufgaben in der Automatisierungs- und Elektronikbranche. Seine Konstruktion gewährleistet eine effektive thermische Leistung, was seine Verwendung in der Elektro- und Maschinenbauindustrie fördert.

Eigenschaften und Vorteile


• Dynamischer dv/dt-Wert gewährleistet Stabilität während des Betriebs

• Verbesserte thermische Eigenschaften, mit einer Betriebstemperatur von bis zu 175°C

• Niedriger Einschaltwiderstand reduziert Leistungsverluste

• Vollständig avalanche-tauglich, bietet Überspannungsschutz

• Einfache Antriebsanforderungen für eine leichtere Integration in Entwürfe

Anwendungsbereich


• Geeignet für hochfrequentes Schalten

• Ideal für Stromversorgungen und Wandler

• Anwendbar in Motorsteuerungssystemen und industriellen Antrieben

• Verwendung in Systemen für erneuerbare Energien, wie z. B. Solarwechselrichtern

Wie wird die Wärmeleistung in anspruchsvollen Umgebungen gesteuert?


Die Wärmewiderstandseigenschaften sind für eine effiziente Wärmeableitung ausgelegt und ermöglichen einen Betrieb von -55°C bis +175°C.

Was sind die Auswirkungen des niedrigen Rds(on)?


Der niedrige Durchlasswiderstand führt zu einer geringeren Verlustleistung während der Leitung, was die Gesamteffizienz des Systems erhöht und die thermische Belastung der Komponenten reduziert.

Kann dieses Gerät für parallele Konfigurationen verwendet werden?


Ja, das Design erleichtert die Parallelschaltung, erhöht die Stromkapazität und verbessert die thermische Leistung bei Hochleistungsanwendungen.

Was ist bei der Auswahl der Gate-Treiberspannung zu beachten?


Eine Gate-Treiberspannung zwischen 2V und 4V ist optimal, um eine ausreichende Schaltleistung zu gewährleisten und unerwünschten Betrieb zu vermeiden.

Welche Maßnahmen gibt es zum Schutz vor Überspannungen?


Der MOSFET ist voll Avalanche-tauglich, schützt vor transienten Überspannungen und gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb unter schwankenden Bedingungen.

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