Infineon HEXFET IRFP250MPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 30 A 214 W, 3-Pin TO-247AC

RS Best.-Nr.:: 124-8762
Herst. Teile-Nr.:: IRFP250MPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFP250MPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 30 A 214 W, 3-Pin TO-247AC

275 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).

Preis pro Stück (In einer Stange von 25)

1,67 €

(ohne MwSt.)

1,99 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
25 - 25	1,67 €	41,75 €
50 - 100	1,336 €	33,40 €
125 - 225	1,253 €	31,325 €
250 - 600	1,152 €	28,80 €
625 +	1,069 €	26,725 €

*Bitte VPE beachten

Nicht als Expresslieferung erhältlich

RS Best.-Nr.:: 124-8762
Herst. Teile-Nr.:: IRFP250MPBF
Marke:: Infineon

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 150 V bis 600 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	30 A
Drain-Source-Spannung max.	200 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	TO-247AC
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	75 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	214 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	123 nC @ 10 V
Breite	5.2mm
Länge	16.13mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Höhe	21.1mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C