Teile-Nr.

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A 370 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 688-6995
Herst. Teile-Nr.:: IRFP4110PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A 370 W, 3-Pin TO-247

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20 - 48	2,87 €	5,74 €
50 - 98	2,675 €	5,35 €
100 - 198	2,51 €	5,02 €
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RS Best.-Nr.:: 688-6995
Herst. Teile-Nr.:: IRFP4110PBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	180A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-247
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	370W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	150nC
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	20.7mm
	Länge	15.87mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-247
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 370W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 20.7mm
	Länge 15.87mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

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