Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 92 A 370 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

5,02 €

(ohne MwSt.)

5,975 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 485 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 451,004 €5,02 €
50 - 1200,762 €3,81 €
125 - 2450,712 €3,56 €
250 - 4950,662 €3,31 €
500 +0,612 €3,06 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
260-5873
Distrelec-Artikelnummer:
304-41-682
Herst. Teile-Nr.:
IRLB8748PBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

92A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

370W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der einfache N-Kanal-StrongIRFET-Leistungs-MOSFET von Infineon. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Breite Palette von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern mit hohem Nennstrom.

Hochstromträgergehäuse

Hohe Leistung in Niederfrequenzanwendungen

Verwandte Links