Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A 370 W, 3-Pin IRFB4110PBF TO-220

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RS Best.-Nr.:
495-578
Herst. Teile-Nr.:
IRFB4110PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

370W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

150nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.82 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.02mm

Länge

10.66mm

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 180A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 370W maximale Verlustleistung - IRFB4110PBF


Dieser MOSFET ist ein effizienter Leistungstransistor, der auf Anwendungen in der Automatisierungs-, Elektronik- und Elektroindustrie zugeschnitten ist. Die robuste Konstruktion und die präzisen Spezifikationen bieten eine vielseitige Lösung für Anwendungen, bei denen Effizienz und Zuverlässigkeit entscheidend sind. Mit einem Enhancement-Mode-Design und einer N-Kanal-Konfiguration ist er für Hochgeschwindigkeits-Schaltvorgänge geeignet.

Eigenschaften und Vorteile


• Maximaler kontinuierlicher Drainstrom von 180 A unterstützt hohe Leistung

• Drain-zu-Source-Spannungsbereich von 100 V ermöglicht eine Vielzahl von Anwendungen

• Niedriger RDS(on) von 4,5mΩ reduziert den Leistungsverlust und erhöht die Effizienz

• Eine Verlustleistung von bis zu 370 W gewährleistet Stabilität

• Verbesserte thermische Eigenschaften fördern die Zuverlässigkeit unter extremen Bedingungen

• Vollständige Charakterisierung der Lawinen- und dynamischen dv/dt-Robustheit fördert die Haltbarkeit

Anwendungsbereich


• Einsatz in hocheffizienter Synchrongleichrichtung für Stromversorgungen

• Geeignet für unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme

• Ideal für Hochgeschwindigkeits-Schaltkreise

• Einsetzbar in hart geschalteten und hochfrequenten Schaltungen

Welches ist der geeignete Betriebstemperaturbereich für eine optimale Leistung?


Er arbeitet effektiv bei Temperaturen von -55°C bis +175°C und gewährleistet die Funktionalität in verschiedenen Umgebungen.

Wie minimiert der MOSFET den Energieverlust in Schaltkreisen?


Der niedrige RDS(on) von 4,5mΩ verringert die Leitungsverluste erheblich und ermöglicht einen effizienten Betrieb in der Leistungselektronik.

Kann es in Hochfrequenzanwendungen eingesetzt werden?


Ja, sein Design ermöglicht schnelle Schaltvorgänge, so dass er für Anwendungen geeignet ist, die schnelle Ein- und Ausschaltvorgänge erfordern.

Wie hoch ist der Wärmewiderstand für eine ordnungsgemäße Montage?


Der Wärmewiderstand zwischen Übergang und Gehäuse beträgt 0,402°C/W, während der Widerstand zwischen Gehäuse und Senke 0,50°C/W beträgt, was eine effektive Wärmeableitung ermöglicht.

Welche Lawineneigenschaften sind bei der Nutzung zu beachten?


Er unterstützt Einzelimpuls-Avalanche-Energiewerte, bietet Schutz gegen transiente Spannungsspitzen und gewährleistet Zuverlässigkeit beim Schaltungsdesign.

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