Infineon HEXFET IRFP4768PBF N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 93 A 520 W, 3-Pin TO-247AC

RS Best.-Nr.:: 688-7020
Herst. Teile-Nr.:: IRFP4768PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFP4768PBF N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 93 A 520 W, 3-Pin TO-247AC

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RS Best.-Nr.:: 688-7020
Herst. Teile-Nr.:: IRFP4768PBF
Marke:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	93 A
Drain-Source-Spannung max.	250 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	TO-247AC
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	14,5 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	520 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	5.31mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	180 nC @ 10 V
Länge	15.87mm
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	20.7mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Infineon HEXFET IRFP4768PBF N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 93 A 520 W, 3-Pin TO-247AC

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