Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 93 A 520 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 688-7020
Herst. Teile-Nr.:: IRFP4768PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 93 A 520 W, 3-Pin TO-247

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Herst. Teile-Nr.:: IRFP4768PBF
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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	93A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	250V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-247
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	14.5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	520W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	180nC
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	5.31 mm
	Höhe	20.7mm
	Länge	15.87mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 93A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 250V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-247
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 14.5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 520W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 180nC
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 5.31 mm
	Höhe 20.7mm
	Länge 15.87mm
	Automobilstandard Nein

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