Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 186 A TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 258-3957
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF150P221AKMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 186A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.50mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 186A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.50mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der HEXFET-Serie von Infineon, 150 V Drain-Source-Spannung, 186 A kontinuierlicher Drain-Strom – IRF150P221AKMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Schalttransistor, der für Anwendungen in der Leistungselektronik entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Gerät mit einer Drain-Source-Nennspannung, die für Mittelspannungsschaltungen geeignet ist. Die Komponente toleriert breite thermische Extremströme und ist somit in anspruchsvollen industriellen Umgebungen einsetzbar, in denen thermische Belastbarkeit und effiziente Leitfähigkeit erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 4,50 mΩ Rds(on) für reduzierte Leitungsverluste
• 186 A kontinuierlicher Ablassstrom für Hochstromschaltungen
• 150 V Vds zur Unterstützung von Mittelspannungsstufen
• Einstellbereich von -55 °C bis +175 °C ermöglicht einen breiten Betriebstemperaturbereich
• 1,2 V Durchlassspannung für eine schnelle Wiederherstellung
• 186 A kontinuierlicher Ablassstrom für Hochstromschaltungen
• 150 V Vds zur Unterstützung von Mittelspannungsstufen
• Einstellbereich von -55 °C bis +175 °C ermöglicht einen breiten Betriebstemperaturbereich
• 1,2 V Durchlassspannung für eine schnelle Wiederherstellung
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler und Stromversorgungen
• Ideal für Motorantriebs-Wechselrichter-Ausgangsstufen
• Wird mit Leistungsgleichrichterbaugruppen verwendet, die eine schnelle Wiederherstellung erfordern
• Kann für industrielle Schaltvorgänge bei rauen Temperaturen verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Powerboard-Implementierungen
• Ideal für Motorantriebs-Wechselrichter-Ausgangsstufen
• Wird mit Leistungsgleichrichterbaugruppen verwendet, die eine schnelle Wiederherstellung erfordern
• Kann für industrielle Schaltvorgänge bei rauen Temperaturen verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Powerboard-Implementierungen
Welches Gehäuseformat wird für die Leiterplattenmontage verwendet?
Er wird in einem TO-247-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage konzipiert ist.
Entspricht diese Komponente den modernen Vorschriften für gefährliche Stoffe?
Er verfügt über eine RoHS-Zulassung, die die Beschränkung bestimmter gefährlicher Stoffe anzeigt.
Welche Art der Kanalleitung sollten Entwickler für die Gate-Steuerung erwarten?
Das Gerät arbeitet im Enhancement-Modus als N-Kanal-Transistor, für den ein positiver Gate-Antrieb erforderlich ist.
Wie hoch ist die angegebene maximale Temperatur für den Dauerbetrieb?
Die obere Betriebsgrenze beträgt +175 °C gemäß den Spezifikationen für den Einsatz bei hohen Temperaturen.
Wie hoch ist die typische Durchlassspannung, die mit Erholungsereignissen verbunden ist?
Die Durchlassspannung für Leitung und Wiederherstellung ist auf 1,2 V angegeben.
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