Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 224 A TO-247

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (25 Stück, in einer Stange mit 25)*

181,20 €

(ohne MwSt.)

215,63 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 75 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Stange*
25 - 257,248 €181,20 €
50 - 1006,886 €172,15 €
125 +6,596 €164,90 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
258-3954
Herst. Teile-Nr.:
IRF150P220AKMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

224A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.70mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

+175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET StrongIRFET ist optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Vertriebspartnern, seine erhöhte Zuverlässigkeit im Vergleich zu Teilen mit einer Nenntemperatur von 150 °C.

Optimierte Qrr

Geringere Überspannung

Geringere Leitungsverluste

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.