Infineon HEXFET, Oberfläche MOSFET 100 V / 316 A IRF100P219AKMA1 TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 258-3953
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF100P219AKMA1
- Marke:
- Infineon
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- IRF100P219AKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 316A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 316A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET StrongIRFET ist für die breiteste Verfügbarkeit von Vertriebspartnern optimiert. Es handelt sich um eine Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard. Verbesserte Tor-, Lawinen- und dynamische dv/dt-Robustheit.
Sehr niedriger RDS(on)
Ausgezeichnete Gate-Ladung RDS(on)
Optimierte Qrr
Geringere Leitungsverluste
Ideal für hohe Schaltfrequenz
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