Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 200 V / 75 A IRFP4127PBF TO-247

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

5,25 €

(ohne MwSt.)

6,25 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 941 Einheit(en) mit Versand ab 01. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 95,25 €
10 - 244,99 €
25 - 494,78 €
50 - 994,56 €
100 +4,25 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
257-9398
Distrelec-Artikelnummer:
303-41-353
Herst. Teile-Nr.:
IRFP4127PBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

75A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Distrelec Product Id

303-41-353

Die IRFP-Serie von Infineon ist ein 200-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem TO 247-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Durchgangsbohrungs-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

Hoher Nennstrom

Verwandte Links