Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 75 V / 355 A 517 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 879-3325
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP7718PBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 879-3325
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- IRFP7718PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 355A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 552nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 517W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 20.7mm | |
| Länge | 15.87mm | |
| Normen/Zulassungen | Lead-Free, RoHS | |
| Breite | 5.31mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 355A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 552nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 517W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 20.7mm | ||
Länge 15.87mm | ||
Normen/Zulassungen Lead-Free, RoHS | ||
Breite 5.31mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
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