Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 75 V / 355 A 517 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
879-3325
Herst. Teile-Nr.:
IRFP7718PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

355A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

552nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

517W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

Lead-Free, RoHS

Höhe

20.7mm

Länge

15.87mm

Breite

5.31mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon


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