Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 70 A 517 W, 3-Pin TO-247AC

RS Best.-Nr.:: 784-8947
Herst. Teile-Nr.:: IRFP4868PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 70 A 517 W, 3-Pin TO-247AC

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Herst. Teile-Nr.:: IRFP4868PBF
Marke:: Infineon

IRFP4868PbF Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	70 A
Drain-Source-Spannung max.	300 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	TO-247AC
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	32 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	517 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	15.87mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	180 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	5.31mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	20.7mm

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 70 A 517 W, 3-Pin TO-247AC

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