Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 75 V / 350 A 520 W, 3-Pin IRFP4368PBF

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RS Best.-Nr.:
688-7002
Herst. Teile-Nr.:
IRFP4368PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

350A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-247AC

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.85mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

38nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

520W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

5.31 mm

Länge

15.87mm

Höhe

20.7mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

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