Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 150 V / 171 A 517 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 688-7018
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-84-053
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP4568PBF
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 171A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 151nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 517W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 20.7mm | |
| Länge | 15.87mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.31mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 171A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 151nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 517W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 20.7mm | ||
Länge 15.87mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.31mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 171A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 517W maximale Verlustleistung - IRFP4568PBF
Dieser N-Kanal-MOSFET ist für hohe Effizienz und gleichbleibende Leistung in verschiedenen elektronischen Schaltungen ausgelegt. Seine robusten Eigenschaften eignen sich für Power-Management- und Schaltanwendungen. Das TO-247AC-Gehäuse ermöglicht ein effektives Wärmemanagement und vereinfacht die Installation in Durchgangsloch-Konfigurationen.
Eigenschaften und Vorteile
• Verbesserte Erholungseigenschaften der Body-Diode verbessern die Zuverlässigkeit
• Niedriger Einschaltwiderstand minimiert Leistungsverluste im Betrieb
• Die maximale Verlustleistung von 517 W eignet sich für Anwendungen mit hohem Leistungsbedarf.
• Der weite Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C gewährleistet die Funktionalität in unterschiedlichen Umgebungen.
• Hervorragende Gate-Schwellenspannungen optimieren die Leistung bei Schaltvorgängen.
• Einzelne Transistorkonfiguration rationalisiert Schaltungsdesigns für einfache Anwendung
Anwendungsbereich
• Hocheffiziente Synchrongleichrichtung
• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen für ein zuverlässiges Backup
• Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltkreise
• Geeignet für hart geschaltete und hochfrequente
Wie hoch ist der maximale Dauerstrom, den dieses Gerät aufnehmen kann?
Der Baustein unterstützt unter optimalen Bedingungen einen maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 171 A.
Wie geht das Gerät während des Betriebs mit der Wärme um?
Mit einer maximalen Verlustleistung von 517 W ist das Gerät in der Lage, die im Betrieb entstehende Wärme effektiv zu bewältigen.
Wie hoch sind die typischen Gebührenanforderungen?
Die typische Gate-Ladung beträgt etwa 151 nC bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V, was eine effiziente Schaltleistung gewährleistet.
Kann es extremen Temperaturschwankungen standhalten?
Ja, er arbeitet in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und ist damit für verschiedene Umgebungsbedingungen geeignet.
Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon
Motorsteuerungs-MOSFET
Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung.
Synchrongleichrichter-MOSFET
Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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