Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 350 A 520 W, 3-Pin TO-247AC

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RS Best.-Nr.:
124-9016
Herst. Teile-Nr.:
IRFP4368PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

350 A

Drain-Source-Spannung max.

75 V

Gehäusegröße

TO-247AC

Serie

HEXFET

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

520 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

380 nC @ 10 V

Länge

15.87mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

5.31mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

20.7mm

Ursprungsland:
MX

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon


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