Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 89 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 831-2806
Herst. Teile-Nr.:: IRF2807ZSTRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 89 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Herst. Teile-Nr.:: IRF2807ZSTRLPBF
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Infineon HEXFET Serie MOSFET, 89A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 170W maximale Verlustleistung - IRF2807ZSTRLPBF

Dieser MOSFET ist für Hochleistungs-Schaltanwendungen konzipiert und bietet Effizienz und Zuverlässigkeit in verschiedenen elektronischen Schaltungen. Sein geringer Einschaltwiderstand und seine starken thermischen Eigenschaften machen ihn für Anwender in der Automatisierungstechnik, der Elektrotechnik und dem Maschinenbau unverzichtbar und ermöglichen ein effektives Energiemanagement und eine Reduzierung der Energieverluste.

Eigenschaften und Vorteile

• Kontinuierlicher Ableitstrom bis zu 89A
• Maximale Drain-Source-Spannung von 75 V
• Betriebstemperatur bis zu +175°C für thermische Stabilität
• Niedriger Rds(on) von 9,4 mΩ zur Reduzierung der Verlustleistung
• Schnelle Umschaltmöglichkeiten verbessern die Reaktionsfähigkeit des Systems
• Enhancement Mode Gerät für optimalen Betrieb

Anwendungsbereich

• Einsatz in Stromversorgungsschaltungen zur effizienten Energieumwandlung
• Eingesetzt in Automobil- und Industriesystemen zur Motorsteuerung
• Geeignet für DC-DC-Wandler und Schaltregler
• Anwendbar bei Hochfrequenzschaltungen in der Elektronik
• Verwendet für den Überlastschutz in verschiedenen elektrischen Systemen

Wie hoch ist die maximale Gate-Source-Spannung, die dieses Bauteil verarbeiten kann?

Er kann eine maximale Gate-Source-Spannung von ±20 V verwalten und ist mit verschiedenen Steuersignalen kompatibel.

Wie verhält sich dieses Bauteil bei hohen Temperaturen?

Mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175°C bleibt er auch in Hochtemperaturumgebungen stabil und funktionsfähig und eignet sich daher für solche Anwendungen.

Welchen Zweck erfüllt die Funktion des niedrigen Einschaltwiderstands?

Der niedrige Durchlasswiderstand minimiert die Wärmeentwicklung und erhöht die Effizienz im Betrieb, was für Hochstromanwendungen wichtig ist.

Kann es sowohl für die Oberflächenmontage als auch für Durchgangsbohrungen verwendet werden?

Dieser Baustein wurde speziell für die Oberflächenmontage in einem D2PAK-Gehäuse entwickelt, um den Platzbedarf und die thermische Leistung zu optimieren.

Welchen Nutzen hat die Schaltgeschwindigkeit für das Systemdesign?

Schnelles Schalten verbessert den Gesamtwirkungsgrad des Systems und ermöglicht ein kompaktes Design, indem es den Betrieb mit höheren Frequenzen in Power-Management-Lösungen erleichtert.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	89 A
Drain-Source-Spannung max.	75 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	9,4 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	170 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	10.67mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	71 nC @ 10 V
Breite	9.65mm
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	4.83mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.3V