Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 183 A 290 W, 3-Pin

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

2,18 €

(ohne MwSt.)

2,60 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 798 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 81,09 €2,18 €
10 - 481,06 €2,12 €
50 - 981,03 €2,06 €
100 - 2481,01 €2,02 €
250 +0,985 €1,97 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
273-3032
Herst. Teile-Nr.:
IRFS7734TRLPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

183A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

270nC

Maximale Verlustleistung Pd

290W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, Lead-Free

Der einfache N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon in einem D2-Pak-Gehäuse ist für die breiteste Verfügbarkeit von Vertriebspartnern optimiert.

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Weichere Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Siliziumgeneration

Netzteil gemäß Industriestandard für die Oberflächenmontage

Verwandte Links