Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 246 A 375 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
168-6020
Herst. Teile-Nr.:
IRFS7730TRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

246A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

271nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.83mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFET StrongIRFET™, Infineon


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MOSFET-Transistoren, Infineon


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